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MEMS加工

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電鍍
  • 晶圓級電鍍
    Au，Cu，Ni，Sn
  • LIGA微細(xì)加工
    (1)可制造較大高寬比結(jié)構(gòu)；(2) 可選各種材料；(3)可制作任意截面形狀圖形結(jié)構(gòu)；(4) 制造成本低
  • 叉指電極：
    提供石英、陶瓷、硅、AlN、塑料等多種襯底的叉指電極測試片，最小線寬1um

案例展示


                            

             Si通孔填充                                   Cu Plating Process                         RF MEMS Plating Process                             TSV及線路電鍍







晶邊刻蝕工藝詳解
晶邊刻蝕工藝詳解

2025-12-26

3D NAND 因堆疊層數(shù)激增，晶圓中心到邊緣的膜層厚度差異可達(dá) 20% 以上，為缺陷埋下隱患。最常見的剝落缺陷，根源在于膜層應(yīng)力與附著力失衡：沉積...

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為什么勻膠后不洗邊良率直接跌20%？
為什么勻膠后不洗邊良率直接跌20%？

2026-01-23

洗邊本質(zhì)是通過消除邊緣工藝偏差，保障晶圓全局的工藝一致性。勻膠時，晶圓在高速旋轉(zhuǎn)下，光刻膠受離心力作用向邊緣擴(kuò)散，但受表面張力、晶圓邊緣形貌...

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MEMS犧牲層去除技術(shù)詳解
MEMS犧牲層去除技術(shù)詳解

2025-07-21

在MEMS器件的制造流程中，犧牲層去除工藝始終是決定器件良率與可靠性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。這一過程的核心挑戰(zhàn)在于：如何在釋放可動微結(jié)構(gòu)的同時，避免因機(jī)...

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濕法腐蝕工藝開發(fā)的過程中需要注意哪些問題？
濕法腐蝕工藝開發(fā)的過程中需要注意哪些問題？

2025-08-22

1.現(xiàn)有工藝復(fù)用優(yōu)先原則 2，新工藝開發(fā)的成本-風(fēng)險(xiǎn)模型 1.腐蝕液配方設(shè)計(jì)三原則 原則2——工藝窗口寬泛化：±2℃時腐蝕速率變化<5%；HCl體系pH...

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