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測(cè)試服務(wù)

測(cè)試服務(wù)

Testing service

表面形貌測(cè)試
探針式表面輪廓儀:
P-7 是KLA公司的第八代探針式臺(tái)階儀系統(tǒng),歷經(jīng)技術(shù)積累和不斷迭代更新,集合眾多技術(shù)優(yōu)勢(shì)。P-7建立在市場(chǎng)P-17臺(tái)式探針輪廓分析系統(tǒng) 的成功基礎(chǔ)之上。 它保持了P-17技術(shù)的卓越測(cè)量性能,并作為臺(tái)式探針 輪廓儀平臺(tái)提供了極高的性價(jià)比。 P-7可以對(duì)臺(tái)階高度、粗糙度、翹曲 度和應(yīng)力進(jìn)行2D和3D測(cè)量,其掃描可達(dá)150mm而無需圖像拼接。
主要功能
臺(tái)階高度:幾納米至1000μm
微力恒力控制:0.03至50mg
樣品全直徑掃描,無需圖像拼接 ? 視頻:500萬像素高分辨率彩色攝像機(jī)
圓弧校正:消除由于探針的弧形運(yùn)動(dòng)引起的誤差
生產(chǎn)能力:通過測(cè)序,模式識(shí)別和SECS / GEM實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化


晶邊刻蝕工藝詳解
晶邊刻蝕工藝詳解

2025-12-26

3D NAND 因堆疊層數(shù)激增,晶圓中心到邊緣的膜層厚度差異可達(dá) 20% 以上,為缺陷埋下隱患。最常見的剝落缺陷,根源在于膜層應(yīng)力與附著力失衡:沉積...

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為什么勻膠后不洗邊良率直接跌20%?
為什么勻膠后不洗邊良率直接跌20%?

2026-01-23

洗邊本質(zhì)是通過消除邊緣工藝偏差,保障晶圓全局的工藝一致性。勻膠時(shí),晶圓在高速旋轉(zhuǎn)下,光刻膠受離心力作用向邊緣擴(kuò)散,但受表面張力、晶圓邊緣形貌...

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MEMS犧牲層去除技術(shù)詳解
MEMS犧牲層去除技術(shù)詳解

2025-07-21

在MEMS器件的制造流程中,犧牲層去除工藝始終是決定器件良率與可靠性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。這一過程的核心挑戰(zhàn)在于:如何在釋放可動(dòng)微結(jié)構(gòu)的同時(shí),避免因機(jī)...

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濕法腐蝕工藝開發(fā)的過程中需要注意哪些問題?
濕法腐蝕工藝開發(fā)的過程中需要注意哪些問題?

2025-08-22

1.現(xiàn)有工藝復(fù)用優(yōu)先原則 2,新工藝開發(fā)的成本-風(fēng)險(xiǎn)模型 1.腐蝕液配方設(shè)計(jì)三原則 原則2——工藝窗口寬泛化:±2℃時(shí)腐蝕速率變化<5%;HCl體系pH...

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