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  • 光刻的性能指標(biāo)
    光刻的性能指標(biāo)

    2023-08-02

    1. 特征尺寸 特征尺寸又稱為線寬(CD, critical dimension)。通常大家聽到的7 nm制程、14 nm制程中的7nm和14nm指的便是芯片的線寬。線寬指的是在...

  • 各種濺射工藝的對比
    各種濺射工藝的對比

    2023-08-02

    1. 直流濺射DCPVD:靶材只能是導(dǎo)體,主要用于沉積金屬柵。DCPVD是利用電場加速帶電離子,使離子和靶材表面原子碰撞,將后者濺射出來射...

  • 各類型光刻技術(shù)的特點
    各類型光刻技術(shù)的特點

    2023-08-01

    一、光刻技術(shù):從接觸式到接近式   接觸式光刻技術(shù)良率低、成本高:接觸式光刻技術(shù)出現(xiàn)于20世紀(jì)60年代,是小規(guī)模集成電路時期最主要的光刻技術(shù)。接觸...

  • 電子束蒸發(fā)鍍膜
    電子束蒸發(fā)鍍膜

    2023-08-01

    一、電子束蒸發(fā)鍍膜簡述: 電子束蒸發(fā)鍍膜(Electron Beam Evaporation)是物理氣相沉積的一種,與傳統(tǒng)蒸鍍方式不同,電子束蒸鍍利用電磁場的配合...

  • 電子束光刻曝光劑量
    電子束光刻曝光劑量

    2023-07-31

    電子束光刻是一個相當(dāng)復(fù)雜的過程,其曝光過程中涉及到電子束與物質(zhì)的作用,這部分我們將在后續(xù)的過程中介紹,這里我們將介紹一下電子束光刻的曝光工藝...

  • 磁控靶濺射沉積率的影響因素
    磁控靶濺射沉積率的影響因素

    2023-07-31

    濺射沉積率是表征成膜速度的參數(shù),其沉積率高低除了與工作氣體的種類與壓力、靶材種類與“濺射刻蝕區(qū)“的面積大小、靶面溫度與靶面磁場強度、靶源與基...

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