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刻蝕偏差 （Etch Bias）
點(diǎn)擊量：734 日期：2023-08-22 編輯：硅時(shí)代
刻蝕偏差是指刻蝕以后線寬或關(guān)鍵尺寸間距的變化（見圖1）。它通常是由于橫向鉆刻引起的（見圖2），但也能由刻蝕剖面引起。當(dāng)刻蝕中要去除掩模下過量的材料時(shí)，會引起被刻蝕材料的表面向光刻膠邊緣凹進(jìn)去，這樣就會產(chǎn)生橫向鉆刻。計(jì)算刻蝕偏差的公式如下：
刻蝕偏差=Wb-Wa
其中，Wb=刻蝕前光刻膠的線寬
Wa=光刻膠去掉后被刻蝕材料的線寬
圖1 刻蝕偏差
圖2 刻蝕中的橫向鉆刻和傾斜
刻蝕偏差的大小與很多因素有關(guān)：襯底材料、光刻膠上圖形的線寬、刻蝕工藝的參數(shù)等。目前額做法是對版圖上所有的邊緣添加（或減去）一個(gè)固定的線寬，被稱為全片刻蝕偏差（global etch bias）。顯然，這樣的做法比較粗糙，設(shè)有顧及刻蝕偏差是與光刻膠上的線寬有關(guān)的。精確地做法是，建立一個(gè)刻蝕的模型，首先對設(shè)計(jì)的版圖做修正；然后，在做光刻的OPC修正，如圖2（第七章光刻鄰近效應(yīng)修正與計(jì)算光刻 P359 圖7.40）所示?？涛g修正可以使用模型，也可以是一些規(guī)則（類似于rules-based OPC）。也有嘗試把刻蝕修正與光學(xué)修正合成在一起的。
圖2 先做刻蝕修正，再做OPC修正的流程圖
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