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顯影技術(shù)
點擊量：808 日期：2023-09-04 編輯：硅時代
顯影是在硅片表面光刻膠中產(chǎn)生圖形的關(guān)鍵步驟。光刻膠上的可溶解區(qū)域被化學(xué)顯影劑溶解，將可見的島或者窗口圖形留在硅片表面。最常見的顯影方法是旋轉(zhuǎn)、噴霧、浸潤，然后顯影。硅片用去離子水沖洗后甩干。顯影過程如圖 所示，非曝光區(qū)的光刻膠由于在曝光時并未發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，在顯影時也就不會存在這樣的酸堿中和，因此非曝光區(qū)的光刻膠被保留下來。經(jīng)過曝光的正膠是逐漸溶解的，中和反應(yīng)只在光刻膠的表面進行，因此正膠受顯影液的影響相對比較小。對于負膠來說非曝光區(qū)的負膠在顯影液中首先形成凝膠體，然后再分解，這就使得整個負膠層都被顯影液浸透。在被顯影液浸透之后，曝光區(qū)的負膠將會膨脹變形。
顯影后留下的光刻膠圖形將在后續(xù)的刻蝕和離子注入工藝中作為掩模，因此，顯影是一步重要的工藝。嚴格的說，在顯影時曝光區(qū)和非曝光區(qū)的光刻膠都有不同程度的溶解。曝光區(qū)與非曝光區(qū)的光刻膠溶解速度反差越大，顯影后得到的圖形對比度越高。
顯影液是溶解由曝光造成的光刻膠的可溶解區(qū)域的一種化學(xué)溶劑 。對于負顯影工藝，顯影液通常是一種有機溶劑，如二甲苯 。對于正顯影工藝，顯影液是一種用水稀釋的強堿溶液，早期的是氫氧化鉀與水的混合物，但這兩種都包含了可動離子玷污(MIC)。最普通的是四甲基氫氧化銨(TMAH) 。
目前歐美和日本企業(yè)憑借技術(shù)優(yōu)勢，占據(jù)了濕電子化學(xué)品全球市場主導(dǎo)地位。
雖國內(nèi)廠商產(chǎn)品主要集中在中低端產(chǎn)品，與世界整體水平還有一定距離，但近年來包括格林達在內(nèi)的國內(nèi)濕電子化學(xué)品企業(yè)持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新，在細分產(chǎn)品領(lǐng)域具有一定的市場集中度，已接近國際領(lǐng)先水平。
