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2023-08-02
1. 特征尺寸 特征尺寸又稱為線寬(CD, critical dimension)。通常大家聽到的7 nm制程、14 nm制程中的7nm和14nm指的便是芯片的線寬。線寬指的是在...
2023-08-01
一、光刻技術：從接觸式到接近式 接觸式光刻技術良率低、成本高：接觸式光刻技術出現(xiàn)于20世紀60年代，是小規(guī)模集成電路時期最主要的光刻技術。接觸...
2023-08-01
一、電子束蒸發(fā)鍍膜簡述： 電子束蒸發(fā)鍍膜（Electron Beam Evaporation）是物理氣相沉積的一種，與傳統(tǒng)蒸鍍方式不同，電子束蒸鍍利用電磁場的配合...
2023-07-31
電子束光刻是一個相當復雜的過程，其曝光過程中涉及到電子束與物質(zhì)的作用，這部分我們將在后續(xù)的過程中介紹，這里我們將介紹一下電子束光刻的曝光工藝...
2023-07-31
濺射沉積率是表征成膜速度的參數(shù)，其沉積率高低除了與工作氣體的種類與壓力、靶材種類與“濺射刻蝕區(qū)“的面積大小、靶面溫度與靶面磁場強度、靶源與基...
