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mems表面加工工藝的基本流程

點(diǎn)擊量：2601 日期：2020-03-23 編輯：硅時(shí)代

mems加工表面加工工藝是基于襯底表面進(jìn)行微結(jié)構(gòu)制作的工藝，加工過程不需要對襯底進(jìn)行的去除或刻蝕，襯底主要用途是支撐微結(jié)構(gòu)。

MEMS表面加工工藝基本流程r如下：

1. 沉積犧牲層材料；

2. 光刻定義犧牲層圖形，刻蝕完成犧牲層圖形轉(zhuǎn)移；

3. 沉積結(jié)構(gòu)材料

4. 光刻定義結(jié)構(gòu)層圖形，刻蝕完成結(jié)構(gòu)層圖形轉(zhuǎn)移；

5. 釋放去除犧牲層，保留結(jié)構(gòu)層，完成微結(jié)構(gòu)制作；

表面加工工藝通用IC半導(dǎo)體工藝，有利于MEMS技術(shù)和IC完美兼容。

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